2026年5月17日，国产DRAM龙头——长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）更新科创板招股说明书，披露2025年全年及2026年一季度业绩数据。
作为国内唯一实现DRAM芯片自主设计、工艺制造与规模化量产的企业，长鑫科技凭借存储行业上行周期实现业绩逆袭反转，2025年扭亏为盈，2026年一季度利润更是爆发式增长。
但光鲜数据背后，公司累计超366亿元的未弥补亏损，核心风险仍未消解，或将成为其登陆科创板的核心经营包袱。
累计未弥补亏损达366.50亿元
招股书数据显示，2022-2024年公司营收分别为82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元，2023年同比仅增长9.65%，2024年受益于产能释放同比大增166.07%。
2025年营收进一步飙升至617.99亿元，同比增长155.6%；2026年一季度营收达508亿元，同比暴涨719.13%，单季营收接近2025年全年的82%。
来源：公司招股书
营收结构方面，公司收入高度集中于DRAM芯片产品，2025年DDR5、LPDDR5/5X等高端产品占比大幅提升，成为营收增长核心动力。2024年底公司全面停产DDR4，产能集中转向DDR5及LPDDR5/5X，2025年DDR系列产品收入同比增长515%。但单一产品结构暗藏隐患，若未来高端DRAM需求不及预期，或行业技术路线突变，公司营收将面临断崖式下滑风险。
利润端的波动更为剧烈，2022-2024年公司归母净利润分别为-83.28亿元、-163.40亿元、-71.45亿元，三年累计亏损超318亿元，2023年亏损幅度达峰值，净利率低至-211.56%。2025年公司实现扭亏为盈，归母净利润18.75亿元。2026年一季度净利润迎来爆发，归母净利润达247.62亿元，同比增长1688.30%，远超2025年全年利润。
需要警惕的是，截至2025年末，公司累计未弥补亏损仍高达366.50亿元，短期盈利仅能覆盖部分历史亏损，长期盈利压力未根本缓解。虽盈利趋势向好，但历史累积亏损规模仍大，主要源于重资产运营模式下的高折旧与持续高强度研发投入，尚未完全被规模效应与盈利增长所覆盖。2026年一季度的高额利润，依赖于全球DRAM供不应求、价格大幅上涨的行业红利。
截至2025年末，公司固定资产账面价值高达1830.24亿元，占总资产比例达54.34%，资产结构呈现典型的重资产特征。2023-2025年，公司固定资产折旧额从105.55亿元增至246.80亿元，增幅约为133.8%，三年间折旧金额翻倍，持续吞噬公司利润。
毛利率从负到畸高
毛利率与净利率的变动，直接印证公司盈利对行业周期的高度依赖。2022-2024年公司毛利率分别为-3.13%、-1.93%、5.58%，长期处于低位甚至为负，核心原因是产能利用率不足、单位制造成本居高不下。2025年毛利率大幅攀升至40.99%，远超历史平均水平。
这种畸高的盈利水平是否具备持续性，目前仍存疑。存储行业2025年下半年以来的涨价潮，源于海外厂商控产、AI算力需求爆发的短期共振。目前全球存储厂商均在加速扩产，2027-2028年新建产能将集中释放，届时DRAM价格大概率回落，公司毛利率与净利率或将重回低位。
三星电子前半导体部门总裁庆桂显曾明确预警：长鑫存储与长江存储正大幅扩产，预计到2027年底全球硅晶圆月产能将达600万片，供给集中释放最快将于2027年下半年扭转供不应求局面，推动内存价格显著回落；若AI资本开支回报率未达预期，2028年后需求本身也可能萎缩。
核心设备“卡脖子”
据相关报道，受海外出口管制影响，公司无法合法获得EUV光刻机，只能通过DUV多重曝光方式迂回生产，这也对其技术升级造成瓶颈。
资料显示，自2019年起，美国政府持续施压荷兰政府，禁止ASML向中国出口EUV光刻机。2022年10月美国出口管制进一步将限制扩大至14nm以下逻辑芯片、18nm级DRAM相关设备。
此外，值得一提的是，韩国检方曾指控前三星、SK海力士员工向长鑫存储泄露核心技术。2025年12月23日，首尔中央地方检察厅通报，以涉嫌违反《防止不正当竞争及商业秘密保护法》《产业技术保护法》，对5名三星电子前员工提起逮捕起诉，并对长鑫存储研发团队的5名员工提起不逮捕起诉。
检方指控称，长鑫存储2016年成立后立即聘请三星电子前部长担任研发室长，系统性地招募三星核心工序技术骨干；一名前三星研究员将DRAM工艺核心技术PRP（制程配方）亲笔抄录后带离公司并跳槽至长鑫存储。
检方还指控，长鑫存储在吸纳多名三星前员工启动DRAM研发后，于2020年6月通过合作商额外获取了SK海力士的DRAM工艺相关技术（韩国国家核心技术）。
在另一起关联案件中，2025年2月，前三星电子部长金某因向长鑫存储泄露18nm DRAM核心技术，被一审判处有期徒刑7年，为韩国技术泄露案历来最重量刑。
无实控人
招股书显示，公司股权高度分散，无控股股东及实际控制人，第一大股东清辉集电持股比例为21.67%，除第一大股东外，其余前四大股东持股比例均未超过20%，股权较为分散。
报告期各期末，公司存货余额持续攀升，2023-2025年分别为141.80亿元、212.15亿元、293.90亿元，存货规模逐年扩大。2023年行业下行时，公司计提存货跌价损失高达115亿元，直接加剧当年亏损。若未来行业周期反转，DRAM价格下跌，公司存货将面临大额跌价风险，进一步侵蚀利润。
来源：公司招股书
市场竞争方面，三星、SK海力士、美光三大巨头合计占据全球DRAM市场91.85%的份额，形成寡头垄断格局。三大巨头凭借技术、成本、品牌优势，掌握全球DRAM定价权。按2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技全球市场份额已增至7.67%，并位列全球第四、中国第一。
研发投入方面，2023-2025年公司研发费用分别为45.6亿元、58.2亿元、72.3亿元，持续增长。
此次科创板上市，公司拟发行不超过106.22亿股，拟募资295亿元，其中130亿元用于DRAM技术升级、75亿元用于产线改造、90亿元用于前瞻技术研发。
公司募资295亿元，为科创板史上第二大融资规模，仅次于中芯国际。高额募资一方面用于技术升级与产能扩张，另一方面也反映公司对资金的极度渴求——此前亏损导致公司现金流紧张，2023年经营活动现金流为-72.72亿元，2024年才转正至68.97亿元，2025年为365.20亿元。
长鑫科技凭借存储行业上行周期实现业绩爆发，短期盈利数据亮眼，但无法掩盖长期亏损。此次科创板募资295亿元，既是公司突破技术瓶颈、扩大产能的机遇，也要警惕因激进扩张以及存储行业周期风险。
行业扩产后，产能集中释放可能带来价格回落风险。有机构预测，当前存储原厂扩产面临主客观双重约束，2026年有效产能释放受限，预计新产能实质释放需待2027年底至2028年，且供给增速上修空间有限。
对于长鑫科技而言，当下最关键的是夯实内生盈利能力，突破技术“卡脖子”难题，才能真正成长为具备全球竞争力的存储芯片企业。
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